阙端麟 Que Duanlin

简历 ：1928年5月19日生于福建福州。2014年12月17日逝世于杭州。半导体材料专家。1951年毕业于厦门大学电机系。1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。曾任浙江大学教授、副校长，浙江省科协主席，浙江省政协副主席，第六届全国政协委员，第七届全国人大代表。

主要成就 ：20世纪50年代末，首先在国内开展硅烷法制取高纯硅的研究。形成的浙大高纯硅烷生产方法在国内已采用30余年。80年代首先提出用氮保护气生产掺氮直拉硅单晶的方法（拥有专利）。1980年和1988年两次获国家发明奖三等奖。1989年获国家发明奖二等奖。2002年获何梁何利基金科学与技术进步奖。

著作和论文 ：
Effect of Nitrogen-Oxygen Complex on Electrical Properties of Czochralski Silicon, Appl. Phys. Lett., 68(4), 487, 1996