陈良惠 Chen Lianghui
简历 ：1939年10月28日生于福建福州。半导体光电子学家。1963年毕业于复旦大学物理系。1999年当选为中国工程院院士。曾任中科院半导体研究所副所长，光电子器件国家工程研究中心主任。
主要成就 ：长期从事半导体光电子材料、器件和物理特性研究。率先实现中国量子阱激光器的突破，并延拓适于不同应用的不同材料系、不同发射波长的量子阱光电子器件。成功筹建光电子器件国家工程研究中心并使其成为国家级光电子研发和工程化基地。
著作和论文 ：
Spatially resolved observation of carrier leakage in 1.3μm In1-x Gax Asy P1-y lasers, Appl. Phys. Lett., 44(5), 520-521, 1984
MBE growth and quantum well lasers, International Journal of Optoelectronics, Vol.7, No.1, 71-77, 1992
