王占国 Wang Zhan

简历 ：1938年12月29日生于河南镇平。半导体材料和材料物理学家。1962年毕业于南开大学物理系。1995年当选为中国科学院院士。曾任中科院半导体所材料室主任、副所长，国家高技术新材料领域专家委员会委员、功能材料专家组组长。现任中国材料研究学会副理事长，北京市政府第八届专家顾问团顾问，第十三届国际半导体和绝缘体材料和第十一届半导体缺陷识别、成像与物理（DRIP）国际会议主席。

主要成就 ：早期从事半导体材料光电性质和辐照效应研究，为中国的两弹一星事业发展作出了贡献。在半导体深能级物理和光谱物理研究方面取得了一系列国际先进成果。协助林兰英院士开拓了中国微重力半导体材料科学研究新领域，首次在太空生长了GaAs单晶。近年来，又在应变自组装量子线、量子点材料生长和大功率量点激光器研制等方面取得重大进展。

著作和论文 ：
Z. G. Wang, L.-A. Ledebo and H. G. Grimmeiss, Electronic Properties of Native Deep Level Defects in LPE GaAs, J. of Phys., C: Solid State Phys., 17, 259, 1984
Wang Zhanguo,Chen Yonghai, Liu Fengqi and Xu Bo, Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers, J. Crystal Growth, 227-228, 1132, 2001