王阳元 Wang Yangyuan

简历 ：1935年1月1日生于浙江宁波。微电子学家。1958年毕业于北京大学物理系。1982年在美国加州大学伯克利分校任访问学者。1995年当选为中国科学院院士。曾任北京大学微电子研究所所长。现任北京大学微电子学研究院院长。美国IEEE Fellow，英国IEE Fellow。

主要成就 ：主持研究成功中国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器。提出了多晶硅薄膜“应力增强”氧化模型和掺杂浓度与迁移率的关系。发现磷掺杂对固相外延速率的增强效应以及CoSiz栅对器件抗辐照特性的改进作用。提出了SOI器件浮体效应模型和改进措施。与合作者提出了多晶硅发射极晶体管的新的解析模型和先进双极工艺技术。近年来开展亚50nm新器件研究，开发成功多种非经典CMOS器件和工艺；开展MEMS新工艺新器件研究，研究成功五套适用于多种MEMS器件和新工艺，设计并研制成功多种MEMS新器件。2000年参与创建中芯国际集成电路公司。

著作和论文 ：
《多晶硅薄膜及其在集成电路中的应用》  科学出版社  1988年
《集成电路工艺基础》  高等教育出版社  1991年
《集成电路工业全书》  电子工业出版社  1993年